Samsung, mobil bellek pazarında önemli bir yenilik gerçekleştirerek, LPDDR5X DRAM çiplerinin en ince versiyonunu tanıttı. Şirket, yeni çipin 0,65 mm kalınlığında olduğunu ve bu özelliği sayesinde selefinden %9 daha ince olduğunu duyurdu. Bu tasarım, özellikle düşük güç tüketimli RAM çözümlerine ihtiyaç duyan ve yapay zeka (AI) yeteneklerine sahip akıllı telefonlar için ideal.
Yeni LPDDR5X DRAM çipi, 12 nm üretim sürecinde üretilmiş olup, 12 GB ve 16 GB kapasitelerde sunulmaktadır. Samsung’un geliştirdiği bu çip, baskılı devre kartı (PCB) ve epoksi kalıplama bileşiği tekniklerindeki optimizasyonlar sayesinde, çipin kalınlığını minimum seviyeye indirgemiştir. Bu sayede, soğutma performansının %21,2 oranında iyileştirilmesi beklenmektedir.
MOBİL CİHAZLAR İÇİN BÜYÜK ADIM
Samsung’un yeni çipi, dört katmanlı bir yapıda inşa edilmiştir. Her bir katman, iki LPDDR DRAM yongasından oluşur ve bu yongalar üst üste paketlenmiştir. Bu 4 yığınlı yapı, çipin performansını artırırken, aynı zamanda cihazın iç tasarımında daha fazla alan tasarrufu sağlar.
Şu anda, Samsung yeni çipi üreticilere göndermeye başlamıştır. Yüksek performanslı ve yüksek yoğunluklu mobil bellek çözümlerine olan talep artarken, Samsung gelecekte daha da ince ve yüksek kapasiteli modüller geliştirmeyi planlıyor. Şirket, 6 katmanlı 24 GB ve 8 katmanlı 32 GB LPDDR5X modülleri üzerinde çalışmalarını sürdürüyor.
Bu yenilik, özellikle AI destekli akıllı telefonlar ve diğer yüksek performans gerektiren mobil cihazlar için büyük bir adım olarak değerlendirilmektedir. Samsung’un bu çipi, mobil bellek teknolojisinde önemli bir dönüm noktasını işaret ediyor ve gelecekteki cihazlarda kullanılacak en ince bellek modüllerinin önünü açıyor.
Kaynak: Haber Merkezi